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雪崩二极管是一类非常高效的微波和亚太赫兹波产生器件。其工作频率范围约为3-400GHz,最主要的优点是它们具有很高的输出功率和紧凑小巧的外形封装。雪崩二极管具有非常窄的工作频率带宽,所以二极管内部尺寸必须根据相应的频率来设计。
产品特点:
l 80-120GHz频率范围
l 典型输出功率 10mW
l 结构紧凑性价比高
l 1年保修期
雪崩二极管技术参数:
ü 频率范围:80-120GHz
ü 可用的最低输出功率:10mW
ü 典型线宽:1MHz
ü 工作电压:15-16V
ü 工作电流:110-120mA
ü 输入功率:2W
可选项:
u TTL调制选项
u 精确附加锥形角
u 高输出功率选项(>50mW射频功率输出)
太赫兹量子级联激光器 THz QCL
型号:QCL 50万 - 100万红外相机
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型号:EOD-NIR 10万We are absolutely confident, the results obtained in the course of this mutually enriching collaboration mark the advent of an entirely new era in the development of TDS and FDS systems - now reinforced with TERASENSE imagers.
An IMPATT diode (IMPact ionization Avalanche Transit-Time) is a high-power diode used in microwave electronics and sub-THz devices. They operate at frequency range 3 - 400 GHz. Main advantage is their high-power capability and small size. The IMPATT diode operates over a narrow frequency band, and diode internal dimensions must correlate with the desired operating frequency.
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