KRI 考夫曼离子源 RFICP 200 HO
KRI Ion Source RFICP 200 HO 是一款大型的有栅极离子源,能够产生高密度的离子束,特别是在 1000 eV 或稍低的能量下获得极高密度的离子束,因此合适于像离子辅助沉积和离子束刻蚀这样的低能量的工艺。因为尺寸的大型化,使它更适用于较大覆盖区域和较高均匀性的要求,因此广泛应用在大型离子辅助的盒式镀膜机和较大尺寸 wafer 的离子刻蚀系统。
KRI Ion Source 有栅极离子源RFICP 200 HO, Gridded RF Ion Source产品规格
Model | RFICP 200 HO |
Discharge | RF inductive |
Filamentless | Yes |
RF power | >1 kW |
Ion optics | OptiBeamTM |
Grids | Application specific |
Alignment | Self-aligned |
Neutralizer | Yes (options) |
Power controller | RFICP ion Power Pack |
Options | |
Beam Shape | Collimated, convergent, divergent |
Water cooled | Yes |
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产品货期: 365天
整机质保期: 1年
培训服务: 提供付费培训
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