2022-11-25 17:46淄博市
关键内容 | 电化学工作站,白光干涉测厚,共聚焦显微镜,匀胶机,电导率仪,扫描电镜,表面处理仪,分子荧光光谱,热膨胀仪,仪器专用电源/高压电源,真空泵,在线测厚仪,切片机,自动进样器,介电常数测定,原子层沉积,能散型XRF,超声波清洗器,气体流量计,干燥箱,切割机,波散型XRF,气相色谱仪,流变仪,手套箱,X射线衍射仪 |
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开标时间 | 待定 |
采购金额 | 4670.00万元 |
采购单位 | 淄博高新产业投资有限公司 |
采购联系人 | 韩淯柯 查看联系方式 |
招标代理机构 | 山东中慧咨询管理有限公司 |
代理联系人 | 高芬 查看联系方式 |
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更新时间: | 2022-11-25 |
招标文件: | 附件1 |
工程名称:无机非金属材料公共技术服务平台和山东工业陶瓷研究设计院技术创新中心设备采购项目
预算金额:本项目总预算为4670.00万元
本项目无机非金属材料公共技术服务平台和山东工业陶瓷研究设计院技术创新中心设备采购,采购内容包括高分辨场发射扫描电子显微镜(带喷金)、三维X射线成像分析系统(CT)等49种设备,具体以招标人发布的招标文件和货物清单为准。
详见附件
本项目采购需求公示期限为3天:自2022年11月26日起,至2022年11月28日止。
本项目采购需求方案公示期间接受社会公众及潜在供应商的监督。
请遵循客观、公正的原则,对本项目需求方案提出意见或者建议,并请于2022年11月29日前将书面意见反馈至采购人或者采购代理机构,采购人或者采购代理机构应当于公示期满5个工作日内予以处理。
采购人或者采购代理机构未在规定时间内处理或者对处理意见不满意的,异议供应商可就有关问题通过采购文件向采购人或者采购代理机构提出质疑;质疑未在规定时间内得到答复或者对答复不满意的,异议供应商可以向监督机构提出投诉。
1.采购单位:淄博高新产业投资有限公司
联系人:韩淯柯
地址:淄博市高新区鲁泰大道51号高分子材料园A座
电话(传真):0533-35793862
2.采购代理机构:山东中慧咨询管理有限公司
地址:淄博市高新区柳泉路286号硅苑科技院内四楼413室
联系人:高芬
电话(传真):0533-3880011
3.监督机构:淄博高新技术产业开发区科学技术发展中心
地址:淄博市张店区政通路高科技创业园D座
联系人:孙喆
电话(传真):0533-3588915
发布人:山东中慧咨询管理有限公司
发布时间:2022年11月25日
序号 | 设备名称 | 技术参数 | 数量(台) | 采购周期 |
1 | 高分辨场发射扫描电子显微镜(带喷金)☆ | 1电子光学*1.1电子枪类型:肖特基场发射电子枪(电子枪灯丝质保2年);1.2加速电压:200V-30kV,带有减速模式;1.3电子着陆能量:20eV-30keV;*1.4束流大小:1pA-50nA;1.5透镜(物镜)几何结构:60°物镜几何结构:支持倾斜较大的样品(不规则样品);*1.6透镜(物镜)组成:复合末级透镜:静电式+磁浸没; 1.7自动烘烤、自动启动、无需机械合轴。2分辨率2.1高真空分辨率(SE二次电子):≤0.5nm@15kV ( BD );*2.2高真空分辨率(SE二次电子):≤1nm@1kV (不开减速,10mm工作距离);*2.3高真空分辨率(SE二次电子):≤0.8nm@1kV ( BD );2.4高真空分辨率(SE二次电子):超低电压分辨率:≤0.8nm@500V ( BD );2.5 30KV STEM分辨率≤0.7nm。3六探头探测器系统*3.1 分割式透镜内低位探测器;3.2 透镜内探测器;3.3镜筒内最高位SE电子探头,收集样品表面低损耗的SE信息;3.4常规SE探头,所有二次电子,背散射电子探头都可以随机选择,最多4个同时工作;3.5 红外CCD探测器(观察样品台高度);3.6 智能彩色导航相机探头。4真空系统4.1泵的组成:1个PVP涡旋泵+1个分子泵+2个离子泵;*4.2抽真空时间:≤ 3.5 分钟。5样品仓*5.1样品仓内径≥340mm;5.2接口:总共12个,可接能谱3个(1个35°,2个平行180°)。6 五轴全自动样品台6.1 XY行程:≥ 110x110mm ,Z向行程≥65 mm;*6.2 倾斜Tilt(°):-15°~ +90°;*6.3 多功能样品台:多用途标准支架,最多可支持 18 个标准样品台 (Φ12 mm)、3 个预先倾斜的样品台、切片样品和不需要工具来安装样品。7软件7.1图像输出分辨率:6144x4096像素,8/16/24位深度BMP、JPG*7.2智能扫描和漂移补偿:Smart SCAN(256 帧平均或积分、线积分和平均法、隔行扫描),DCFI(漂移补偿帧积分)*7.3显示方式和探测器通道数量:单幅或4幅图像实时显示,标准4通道,任意两个探测器的输入可混合7.4 具有智能对中技术,不再需要用户手动进行对中操作。7.5 FLASH(闪调)自动执行精细调节动作。只需移动鼠标,SEM 就可完成必要的透镜居中、消像散和图像聚焦校正。* 7.6 具有自动化及联用工作流程软件套件,可关联micro CT、SEM、DualBeam 和 TEM 等多种系统提供的图像数据,可获得多尺度背景信息,更加深入地分析完整样品。* 7.7 配有大视野高倍率拼接软件,针对样品大视野高倍率观察,可自动进行拍摄和拼图,无限量拼图张数,自动化采集并拼接。8 配备喷金溅射仪1台8.1样品台直径≥50mm,靶到样品台距离≥45mm,高度可调;8.2最大样品尺寸:直径≥50mm;8.3靶材:附带Au靶材1个。 | 1 | 6个月 |
2 | 三维X射线成像分析系统(CT)☆ | 1 分辨率要求:*1.1空间分辨率(spatial resolution)优于1μm,实际样品测试时能实现体素分辨率 (voxel size)≤470nm清晰三维成像,需提供实际样品的测试结果;*1.2当X射线源距样品旋转轴25mm时,最佳体素分辨率≤3.5μm,需提供实际样品的测试结果。2 X射线源*2.1封闭式透射型X射线源,最高工作电压≥160 kV,最大功率≥10 W;2.2 X射线源可移动,范围(X射线方向)≥190mm; 2.3配备过滤器转换支架,包含不少于13个适用于不同能量段扫描的滤片;2.4可以进行长时间稳定扫描,单次稳定扫描时间需大于24小时。3 探测器*3.1 CMOS平板探测器,像素点数量≥3072×1944,像素点尺寸≤75 μm;3.2单次扫描视野(FOV)不小于140mm/90mm(直径/高度);3.3可通过纵向拼接技术获得直径不小于140mm高度不小于165mm的视野;*3.4 CMOS探测器可移动,移动范围≥470mm。4高精度样品台4.1全电脑控制4轴样品台;*4.2 X轴运动范围≥50mm,Y轴运动范围≥100mm,Z轴运动范围≥50mm,R轴:n×360°;*4.3最大可测样品:重量≥25kg,直径≥300mm,高≥500mm。5 X射线防护系统*5.1为最大程度上防护,安全屏蔽室需采用铅钢全封闭,不能留有可视透明窗口,设备内部样品和工作情况通过机台内部可见光相机清晰观察,辐射安全等级需为最安全的Ⅲ类射线装置;5.2在距离外壳表面上25mm 处进行测量,X射线泄漏率<1μSv/h 。6 操作系统6.1系统控制和图像采集工作站:用于控制设备及采集图像,应满足或优于以下配置,双8核CPU,内存≥32GB,硬盘≥8TB,LED液晶显示器≥24',带可刻录式DVD光驱;6.2操作控制台采用人体工学摇臂设计,可以上下左右任意方向移动,满足客户不同工作姿态的需要;6.3应具备自动防撞机制,可根据样品形状和轮廓,自动对源、探测器位置进行限位,以保证硬件和样品安全;6.4成像软件系统:具有数据采集软件,三维断层扫描图像重构软件,3D视图软件;6.5图像重构速度:1500张1.5k×1k投影重构图像数据(重构1000张Slice图像)的时间不超过3分钟;*6.6具备自动扫描功能,自动对同一样品50个以上不同区域进行三维成像扫描和重构;6.7操作自动化具备:定位放大扫描、导航式扫描等功能;6.8扫描方式具备:垂直拼接、180度扫描等功能;6.9改善成像质量具备:二次背景参照等功能;6.10系统矫正具备:样品移动自适应矫正功能、温度移动的矫正功能、图像比对位移参照矫正等功能;6.11成像模式具备:吸收衬度、基于边缘折射传播的相位衬度成像功能;6.12 具备与扫描电镜,光学显微镜, FIB等设备关联使用的功能,三维分析系统的结果可以在这些设备中被寻找到感兴趣区域进行更高分辨率的成像和加工。 | 1 | 6个月 |
3 | 变温网络分析测试系统 | 1.测量参数:介电常数,损耗角正切,频率范围:1MHz~1GHz,温度范围:-40℃~150℃;2.测量参数:介电常数、磁导率等, 频率范围:2GHz~40GHz,测量精度:常温 1%,高温下3%,温度范围:常温~800℃温波导;3.测量参数:介电常数、磁导率等,频率范围:1GHz 至 18GHz;4.测量参数:介电常数、损耗角正切,测试频点:1.1GHz、2.5GHz、5GHz、10GHz、15GHz, 温度范围:-45~90℃;高压支持范围:2000V,高低温频率范围:DC-40MHz;5.测试系统包含高频网络分析仪、材料高温传输测试部分、材料变温射频测试部分、材料变温分离测试部分、材料变温高压测试部分和整套系统综合软件平台;6.根据应用软件清单及配置参数安装应用软件。 | 1 | 4个月 |
4 | PZT传感材料薄膜制备系统 | 1.30min内,反应腔体可从大气抽真空至5E-6Torr,本底极限真空:< 3E-7Torr,该系统配备自动进样室可传递4-6寸硅片;2.磁控溅射靶枪,不少于4组尺寸≥3英寸磁控溅射靶枪(性能不低于Angstron、HHV等),靶材利用率≥35%;3.配备RF射频源,射频电源频率:13.56兆赫兹,功率:不低于600W;4.系统溅射真空度在10-4torr,溅射成膜更致密,能溅射超薄氧化物膜层;5.配备直流、射频溅射电源(可兼容直流脉冲、HIPIMS等),恒流,恒压,恒功率模式可选;6.4-6英寸膜厚不均匀性优于±5%;7.系统加热最高温度600°,600℃内控温精度优于±1.5%,具备等离子清洗功能,功能全面,使用灵活,适合于工艺研发及教学生产要求;8.系统配备自动进样室,自动搬运旋转机械手送取样品。 | 1 | 4个月 |
5 | X射线荧光光谱仪 | 1.射线发生器最大输出功率大于4.2kW,额定电压≥70 kV,额定电流≥140mA;2.X 射线光管:铑 (Rh), 铍窗厚度≤50μm,样品激发距离≤16 mm,下照射方式;3.固态高频发生器:外电压波动1%,输出电压的稳定性为0.00005%;4.测角仪:最新一代莫尔条纹定位技术,数字或光学定位,最大定位转速≥4800°/min,样品旋转不小于60rpm/min;5.探测器:流气正比计数器、闪烁计数器,FPC线性范围不小于3000 kcps,SC线性范围不小于2200kcps;6.光路:初级准直器采用程序控制,自动切换,配置初级准直器数量不少于4 个,最优化分析从超轻元素到重元素,最多可安装9块晶体,每块晶体可单独加热控温,整个光谱室温度稳定在±0.05℃;7.配备双位置进样系统和粉尘收集系统;8.配置无标样定量分析软件。 | 1 | 6个月 |
6 | 陶瓷粉末3D打印系统 | 1.成形尺寸(mm): 800*800*500;2.制件精度:±0.2 mm(≤200mm),±0.1% mm(>200mm);3.分层厚度:0.08~0.3mm连续可调;4.成型材料:PS粉、覆膜砂;5.激光器:功率120W,功率控制连续可调,使用寿命30000小时以上;6.振镜动态聚焦扫描系统,焦平面光斑尺寸: ≤0.8mm,焦深:10mm,最大扫描速度:8m/s,扫描器重复定位精度≤0.02mm;7.供料装置:自动上送料。 | 1 | 4个月 |
7 | 下沉式陶瓷光固化3D打印 | 1.聚焦平面光斑尺寸:≤0.040mm;2.激光光源波长:405nm3.激光最大功率:≥3W;4.激光光束质量:M2<1.3;5.采用振镜,振镜通光口径≥10mm;6.分层厚度: 20-150μm可调;7.成型缸为圆柱形,直径为Φ105~115mm之间,高140~160mm之间;8.加工件精度:±0.1mm/100mm;±0.05mm/10mm9.设备自带≥15吋的人机交互触摸屏、鼠标和键盘,采用windows64bit系统,参数开放,可调节的参数包括:激光输出功率、光斑尺寸、激光焦点、激光扫描速度、铺料速度、供料速度。 | 1 | 4个月 |
8 | 电介质充放电测试系统 | 1.内置示波器及 10kV高压电源,测试电压: 10kV (由所选高压开关决定);2.样品电容: < 100pF to >100μF;3.放电最大电流: < 15A(放电开关型号决定);4.放电电阻: <1Ω to >1MΩ;5.放电速度: 高压MOSFET开关, 放电速度<100纳秒。 | 1 | 4个月 |
9 | 薄膜厚度测量仪 | 1.集成光谱仪/光源装置、光纤电缆、整平滤波器;2.测试厚度范围:15nm-70μm;3.波长选配:380-1050nm。 | 1 | 4个月 |
10 | 热膨胀仪 | 1.温度范围:RT~1600℃;2.样品:长度0--52mm,直径0--12mm;3.分辨率(全量程):2nm;4.温度准确度:1K;5.CTE(平均线膨胀系数)重复性:10-8 1/K。 | 1 | 4个月 |
11 | 流变仪 | 1.形式:定负荷挤出式(砝码加载);2.测量范围:不小于1×101~1×106Pa.s;3.温度范围:室温~+400℃;4.控制精度:误差≤±0.2℃。 | 1 | 4个月 |
12 | 电化学工作站 | 1.电位精度:±2mV±0.2%;2.恒电位范围:10V;3.电流范围:10nA~1A;4.交流阻抗频率范围:10uHz~1MHz;5.测试系统配置电压源、电子负载、氢氮发生器、气体流量控制器、气体流量计和微流注射泵。 | 1 | 4个月 |
13 | 搅拌脱泡机系统 | 1.包括最大容量为1000g*2、400g*2和250g(含有容器等等的总量)的三种规格,其中250g最大容量的为2台;2.三种规格的公转速度:分别大约为220-1000rpm、270-1410rpm和640-1700rpm;3.自转的转速是对应公转约 0-0.94 倍;4.时间设定:(10-990秒)X3 步骤,最长运行时间 990 秒(10 秒单位);5.满足金属浆料和陶瓷浆料的混合分散的要求。 | 4 | 4个月 |
14 | 可视化高温形变分析仪 | 1.温度范围:室温~1600℃;2.控温精度:±1℃;3.样品腔直径:Ф60mm(外)/Ф50mm(内);5.光学系统:定制LED冷光光源。 | 1 | 4个月 |
15 | 气相色谱仪 | 1.控温范围:室温加6℃~399℃;2.分流/不分流毛细进样系统EPC控制系统,隔膜吹扫,分流;3.氢火焰检测器:FID;4.热导池检测器:TCD。 | 1 | 4个月 |
16 | 脱硝催化剂活性智能检测系统 | 1.催化剂容量25.5mm*25.5mm;2.NOx、O2、温度、活性能够实时显示及记录输出;3.自动控温、NOx监测精度1ppm;4.气体流量精度10ml/min;5.软件能够自动绘制O2、NOx、温度、活性曲线。 | 1 | 4个月 |
17 | 双恒电位仪 | 1.恒电流控制范围:±2.0A;2.电位控制精度:0.1%×满量程读数±1mV;3.电流控制精度:0.1%×满量程读数;4.电位分辨率:10V(>100Hz), 3V(<10Hz)。 | 1 | 4个月 |
18 | 陶瓷激光切割机组 | 1.XY直线电机的行程有400mm×400mm和500mm×500mm两种;2.QCW激光器有150瓦和300瓦两种;3.X Y轴定位精度为±0.02mm,重复定位精度为±0.005mm,可识别调用CADdxf 格式文件并进行加工;4.视觉采用CCD组件和定制视觉软件;5.6KW/AC380V/50Hz电压波动:10%,如超出波动范围,配置稳压器;6.提供管道气体增压装置和工业吸尘器,用于切割使用(压力可调,保证输出压力:空载≥1.5MPa;负载≥1.2MPa,洁净度 99.99%);7.常规产品切割效率为100mm/s,缝宽<40um,切割面整齐,划线断面相对一致。 | 2 | 4个月 |
19 | 双面研磨机组 | 1.游星轮参数:柱销齿柱销直径¢10,节距19.3,齿数有52和68两种规格;2.加工工件厚度:0.2mm≤b≤30mm;3.最大加工尺寸有Φ290mm和Φ370mm两种规格;4.磨盘转速:0~50rpm。 | 2 | 4个月 |
20 | 双面研磨抛光机 | 1.游星轮参数:Z=154/m=DP12;2.加工平面度/平行度:0.001mm;3.最大加工尺寸:Φ295mm;4.磨盘转速:3~45rpm。 | 1 | 4个月 |
21 | 高速复合雕铣机 | 1.主轴直径:80mm;2.转速:40000转;3.工作行程:570*450*160mm;4.定位精度:0.008mm/300mm5.刀库:10把刀。 | 1 | 4个月 |
22 | 单面抛光机 | 1.盘面直径:609mm;2.盘面转速:0~87rpm;3.BLOC/陶瓷盘直径:压力板直径227.8mm。 | 1 | 6个月 |
23 | 纯水机系统 | 1.电阻率:15ΜΩ﹒cm(25℃);2. 颗粒 ≤10(≥0.1~0.5μm)个/L,过滤精度0.1微米;3. 总有机碳 ≤20ppb;4. 压力≥0.3±0.5MPa;5. 产水量:0.5T/h;6.基本配置流程:UF膜→两级反渗透→EDI→氮封水箱→UV/TOC。 | 1 | 4个月 |
24 | 湿法清洗系统 | 1.具备6英寸及其以下尺寸薄膜基板(半导体硅片、石英玻璃、陶瓷等)湿法精密清洗能力,实现手动清洗和自动脱水甩干功能。2.提供清洗器具、半导体硅片、石英玻璃湿法精密清洗工艺。3.最大清洗薄膜基板(半导体硅片、石英玻璃、陶瓷等)尺寸:不小于6英寸,向下兼容。4.清洗后,表面残留粒径大于0.3μm颗粒数不超过60个(4英寸衬底)。5.清洗后,采用50X~200X显微镜观察,基板表面不得存在任何点子、印迹。6.通风操作台:尺寸不小于1500mmx850mmx2000mm(宽*深*高),电子级PP板,板厚不低于8mm,承重不小于50kg。7.超声清洗系统:内槽尺寸≥500x280x200mm(长x宽x高);超声频率40~68KHz;最大超声功率≥400W,功率可调;加热功率:500W~800W;加热温度范围:常温~80℃。8.冲洗甩干系统:工作转速300~2400r/min,可根据工艺设置、调整;氮气进气压力0.23~0.28MPa;氮气耗量115~180L/min(单个工作腔)。 | 1 | 4个月 |
25 | 原子层沉积系统 | 1.标准 PE 反应腔室,最大可放置直径8英寸样品,兼容小尺寸样品; 2. 反应温度最高 400℃;3. 3路液态前驱体源; 4. 高性能真空系统; 5. ICP 远程等离子体系统; 6. 2 路等离子体气源;7. PLC+工控机沉积自动控制系统。 | 1 | 6个月 |
26 | 无油空压机组 | 1.排气量:2.5m3/min;2.排气压力:7KG 15KW/20HP; 3.冷干机/吸干机和过滤器;4.不锈钢储气罐1000L(8bar);5.露点温度≤-40℃;6.油气含量≤0.01ppm。 | 1 | 4个月 |
27 | 光刻机 | 1.曝光面积:160mmX160mm;2.曝光波长:365nm;3.分辨力:≤1μm; 4.对准精度:优于0. 8μm; 5.掩模样片整体运动范围:X:≥15mm,Y: ≥15mm。 | 1 | 4个月 |
28 | 等离子表面处理仪 | 1.功率可调0.3W;2.电源40KHz;3.高效真空泵带油雾过滤器。 | 1 | 4个月 |
29 | 匀胶机 | 1.基片尺寸:5~150mm;2.速度范围:1~10000rpm;3.胶均匀性:±1%。 | 1 | 4个月 |
30 | 精密视觉对位印刷机 | 1.基片最大面积:6 英寸;2.适用网框尺寸:320mm×320mm×16.7mm;3.印刷速度:10~350mm/sec;4.工作台重复定位精度:±0.001mm。 | 1 | 4个月 |
31 | 温等静压机 | 1.工作压力:80MPa(可多段加压);2.工作温度:室温~80℃,温度自由可设定;3.腔体有效内径:φ300mm;4.腔体有效深度:400mm;5.保压波动范围:±0.1Mpa。 | 1 | 4个月 |
32 | 陶瓷膜带加工系统 | 1.切片机的性能指标:1.1卷料内径:6英寸;1.2切片精度:±0.3mm;1.3生瓷带厚度:0.1mm~0.5mm;1.4切片周期:6秒/片。2.打孔机(无框)的性能指标:2.1上下料方式:自动;2.2生瓷片规格:152.4mm×152.4mm ±0.30mm;2.3冲孔精度:有效范围内 ±10μm;2.4冲孔单元数量:4套CK-30型冲孔单元。3.印刷机(半自动)的性能指标:3.1最大加工尺寸:150mm×150mm;3.2视觉对位精度:±5μm;3.3上下料方式:手动;3.4印刷速度:10秒/片(不包含印刷运动时间)。4.整平机的性能指标:4.1料片规格:152.4mm×152.4mm;4.2加热部件: 上、下台加热;4.3平台温度均匀性: ±3℃;4.4加热最高温度:100℃。5.撕膜台的性能指标:5.1料片规格:152.4mm×152.4mm;5.2生瓷片厚度:≥0.1mm;5.3上下料方式:手动;5.4除静电功能: 有。6.叠片机的性能指标:6.1生瓷片规格:152.4mm×152.4mm ±0.3mm,带PET膜;6.2生瓷片厚度:20μm--100μm;6.3上下料方式:全自动(料片可堆叠放置);6.4对位方式及重复精度:双相机视觉对位,±5μm;6.5定位方式:真空吸附。7.印刷检测仪(图形)的性能指标:7.1最大扫描尺寸:203mm×203mm;7.2可到线宽/间距:1.0 mil;7.3产品厚度:≤1.0mm;7.4上下料方式:手动;7.5检测方式:自动。 | 7 | 4个月 |
33 | 热切机 | 1.工作台移动范围:Y 方向330mm,Z 轴30mm,转动角度150° ;2.对位精度:Y轴±0.005 mm,Z轴±0.005 mm,θ轴±0.001°;3.工作温度:切割刀片的温度在室温~100℃范围内可调节、工作台温度在室温~100℃范围内可调节,温度均匀性±3℃;4.切割尺寸:152mm~203mm;5.定位精度:±0.005mm;6.切割精度:±0.02mm。 | 1 | 4个月 |
34 | 填孔机 | 1.最大可填充尺寸:11.5”X 11.5”; 2.最大产品尺寸:12”X 12”; 3.最小填充孔的直径:0.05mm;4.注射压力:0~60psi 连续可调;5.工作台调整精度:±0.01mm。 | 1 | 4个月 |
35 | 热风循环脱脂炉 | 1.烧成温度:使用温度 800℃;2.有效装载尺寸:800×800×800mm;3.升温速率:300℃/h;4.温度均匀性:±10℃。 | 1 | 4个月 |
36 | 废气净化高温推车炉系统 | 1.推车炉的烧成温度 : 使用温度 1650℃;2.推车炉的有效装载尺寸: 900(D)×400(W)×400(H)mm;3.推车炉的升温速率:300℃/h;4.推车炉的温度均匀性:±10℃;5.废气净化炉的使用温度:最高 800℃;6.通过引风机强制抽取主设备烧结时所产生的有机物质,最大处理量为150m3/h;7.炉膛体尺寸:450(L)×450(W)×570(H)mm。 | 4 | 4个月 |
37 | 升降炉 | 1.烧成温度:常用使用温度1600℃;最高使用温度1650℃;2.有效装载尺寸: 1500(L)×500(W)×650(H)mm;3.升温速率:300℃/h;4.温度均匀性:±10℃。 | 1 | 4个月 |
38 | 真空气氛箱式炉 | 1.氮气及其他惰性气体:常用使用温度 1900℃;最高使用温度 2000℃;2.炉内气氛:真空置换方式,采用干式螺旋真空泵配进排气过滤器;3.升温速率:200℃/h;4.炉膛体尺寸(炭内胆):φ520×1070Lmm;5.有效装载尺寸:约270×810×320 mm;6.温度均匀度:±15℃。 | 1 | 6个月 |
39 | HTCC实验烧结炉 | 1.烧成温度:使用温度1650℃;2.炉内气氛:H2(13%)+N2(87%),采用气体置换方式;配有加湿器;升温速率:200℃/h;3.有效装载尺寸:约250×250×250mm;4.均温区尺寸:约230×230×230mm ;5.温度均匀度:±5℃;6.烧成气氛:H2(13%)+N2(87%)混合气、氮气气氛等。 | 1 | 6个月 |
40 | 连续滚道退火炉 | 1.设计最高炉温:500℃ ;2.工作温度:≤400℃; 3.控温精度:±1.5℃;4.温度均匀度:±2℃;5.空炉升温时间:≤0.5小时;6.滚道有效宽度: 260mm;7.炉膛尺寸:1200*300*80mm(长×宽×高)。 | 1 | 4个月 |
41 | 快速退火炉系统 | 1.使用温度范围有150~1000℃和100~1300℃两种规格;2.系统处理样品的最大尺寸有6英寸和4英寸两种规格,其中4英寸为2台,6英寸为1台;3.温度均匀性:±5度(稳态);4.最大降温速率:80℃/秒。 | 3 | 4个月 |
42 | 1700箱式气氛炉+水冷机+真空泵 | 1.最高使用温度:1700℃,额定温度:1650℃;2.炉膛尺寸:200*200*200mm;3.使用水冷进行降低控制;4.真空度达100Pa以下。 | 1 | 4个月 |
43 | 1750高温箱式炉(36L/8L /3.4L) | 1.最高使用温度:1750℃,工作温度:1700℃2.炉膛尺寸有3种规格:300*400*300mm、200*200*200mm和150*150*150mm,其配置的台数分别为5、5和10;3.炉内的恒温控制精度:±1度;4.温度均匀性:±5度。 | 20 | 4个月 |
44 | 电池涂布制备系统 | 1.加热型平板涂覆机:MSK-AFA-HC100,含外置真空泵,含刮刀KTQ-80F,可手套箱使用;2.液压平衡电动对辊机:MSK-2300A液压平衡电动对辊机PLC程序控制系统;3.铝塑膜成型机:MSK-120,含4662模具,24V,ULR;4.间歇型实验涂布机:MSK-AFA-EI300,含MSK-50取样器,含软件,220V;5.压力可控电动扣式电池封口机:MSK-E110,含Φ20封口模具,A1,220V,ULR/含软件;6.连续分切机:MSK-540-II,含2*56和2*58刀座小车一套,1分4条,220V;7.隔膜分切机:MSK-540-III,含5*60圆形刀和片式刀刀座小车一套,1分5条,220V;8.电池涂布系统还包含溶剂处理系统、真空干燥箱、手动切片机和真空泵等辅助设备。 | 11 | 4个月 |
45 | 电化学测试系统 | 1.5V10mA一体机;2.测试系统有160通道/台和80通道/台,其中160通道的装置为2台和80通道的装置为1台;3.测试温度范围为0~60度。 | 3 | 4个月 |
46 | 电化学工作站 | 1.最大电流: ±1A标配,可扩展到±10A;2.最大输出电压:±20V;3.施加电位范围:-10V ~ +10V;4.恒电位仪带宽:>500kHz;5.通道数:4,可扩展到 16个通道。 | 1 | 4个月 |
47 | 手套箱 | 1.水氧指标:小于1ppm;2.泄露率:小于0.001vol%/h;3.材料:304不锈钢,厚度3mm;4.过滤器:规格 0.3微米,1个气体入口和1个气体出口;5.工作气体:氮气、氩气,循环能力:集成风机流量 90m3/h,加装变频。 | 1 | 4个月 |
48 | 全自动全套反应釜 | 1.设计温度:90度,温控精度:±0.5度;2.搅拌转速:0~1200转/分钟;3.容积:5L,不锈钢材质。 | 1 | 4个月 |
49 | 双动力纳米砂磨机 | 1.净容量:2L;2.转速:2800转/分,13m/s-14m/s(线速度);3.20L双层不锈钢循环罐;4.0.5寸气动隔膜泵。 | 1 | 4个月 |
合计 | 96 |
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