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阳离子组成对作用于ALD制备的In-Ga-Zn-O TFT沟道的偏应力稳定性的影响

简介：近年来，非晶态In-Ga-Zn-O(a-IGZO)材料。主要用作背板的通道材料。平板显示器(FPD)的TFT由于其优越性. 具有均匀性好、通断电流大等特点;与其他无定形氧化物相比，具有更高的载流子迁移率.
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