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高温高压光学浮区炉-技术介绍

简介：国SciDre公司推出的高温高压光学浮区炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度，晶体生长腔大压力可达300bar，甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。
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相关产品：德国ScIDre HKZ高温高压光学
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