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拉曼光谱测定半导体晶向

简介：晶向是影响半导体工艺和器件性能的一项参数。随着半导体薄层材料制备技术和应用的发展，薄层晶向的测定日益显得重要。然而，对于厚度仅为微米量级的薄层，常规的晶体定向方法或由于腐蚀破坏作用（光散射法），或由于穿透深度过大（X射线術射法），或由于信息图案过于复杂（电子衍射法）都极难测定其晶向。拉曼光谱，由于其反映晶格对称性和穿透深度小的特点，曾作为薄层晶体的定向工具。鉴别了特殊晶向，利用拉曼散射光极值法则能测定任意取向的金刚石结构薄层晶向。
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