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采用热扫描探针光刻和激光直写相结合的方法快速制备点接触量子点硅基晶体管

简介：1、高分辨和高直写精度 (XY: 最高可达10nm, Z: 1nm)以及高直写速度（20mm/s 与EBL媲美）； 2、实时形貌探测的闭环刻写技术； 3、无需标记拼接与套刻； 4、避免对基底材料的损害； 5、使用和维护成本低，易操作.
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  • 上传人： QUANTUM量子科学
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