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利用扫描电镜观察氢氧化钾蚀刻制备的硅微观结构

简介：氢氧化钾蚀刻 （KOH）是制造微型器件的一个重要工艺，用于从硅片上去除材料。选择性地蚀刻硅片的某些部分，用一层二氧化硅或掩膜来保护剩下的部分。然而，残留物的存在成为这种技术的一个缺点，因为它会对器件的制造过程产生负面影响。在这篇博客中，我们提出了一种利用蚀刻残留物的方法，将其作为后续蚀刻的掩膜，以制造两层微结构。我们还提供了如何有效地利用扫描电镜SEM对这些微结构进行成像的例子。
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