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用户论文(2006)：《人工晶体学报》RF预处理对ZnO/Si生长的影响

简介：【中文摘要】 氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙的宽禁带半导体材料,其室温下的禁带宽度3.36eV,由于其具有紫外发光的特性,近来受到研究者的广泛关注。由于ZnO在高效率光散发设备和其它光学方面有应用前景,所以要进行高质量的ZnO薄膜制备的研究。由于 详细>
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