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一种碳化硅单晶衬底、制备方法及半导体器件.pdf

简介：本发明公开了一种碳化硅单晶衬底,包括第一表面和第二表面,所述第一表面包括钉扎区和制件区,所述钉扎区为人工设置的势阱,以将所述钉扎区周围区域的位错集中于所述钉扎区,所述第一表面上设置多个所述钉扎区；所述制件区用于制作半导体器件, 详细>
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