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碳化硅单晶片、晶体及制备方法、半导体器件.pdf

简介：本发明提供一种碳化硅单晶片及其制备方法、碳化硅晶体及其制备方法、半导体器件,所述碳化硅单晶片表面为其法线方向与c向夹角为0度-8度之间的表面,且该碳化硅单晶片上的聚集位错小于300个/cm～2,所述聚集位错是指经过熔融KOH腐蚀后,得到的腐蚀坑中,任意两个腐蚀坑的几何中心之间的距离小于80微米的位错聚集情况。即使在位错密度相对较高的情况下,聚集位错密度也较小,从而提高了碳化硅基器件的良率。
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