简介:本发明公开了一种半导体制程中铝线的刻蚀方法,其包括以下步骤:步骤一,将介电抗反射涂层的厚度增加一倍至三倍,对介电抗反射涂层进行纵向刻蚀的同时缩小了铝线的线宽;步骤二,对第一电极金属层进行刻蚀;步骤三,对第二电极金属层进行刻蚀;步骤四,对金属铝层进行刻蚀。本发明通过将介电抗反射涂层加厚作为一种介质,为后续金属层刻蚀前对此介质进行剪切,使铝线的线宽变小。
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上传人:dahua1981
- 上传日期:2023-04-26