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CIS器件的深沟槽隔离形成方法、半导体器件结构.pdf

简介：本申请公开了一种CIS器件的深沟槽隔离形成方法、半导体器件结构,涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上生长第一外延层；形成硬掩膜层；在第一外延层中形成若干个纵横排列的深沟槽；在深沟槽内形成第二外延层；在深沟槽内第二外延层的表面形成 详细>
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