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使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备.pdf

简介:本公开的实施例涉及使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备。本公开提供了设备和方法,其中半导体芯片具有减少的尺寸和厚度。通过利用牺牲性或牺牲硅晶片来制造设备。在牺牲硅晶片中形成凹进,其中半导体芯片被安装在凹进中。在牺牲硅晶 详细>
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