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NMOS器件的制作方法及以其制作的半导体器件.pdf

简介：本发明涉及NMOS器件的制作方法及以其制作的半导体器件,涉及半导体集成电路制造工艺,在NMOS器件的制作过程中,通过在多晶硅沉积之后,在多晶硅层顶部形成一层锗非晶层,可减小N型轻掺杂源漏注入工艺对多晶硅层的注入深度,因此可提高N型轻掺杂 详细>
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