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用于光刻设备内的膜和包括这种膜的光刻设备.pdf

简介：本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜,所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区,其中所述膜是以大于1017cm-3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层,其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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