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化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜、图案形成方法、及化合物或树脂的纯化方法.pdf

简介：本发明的化合物由特定的结构式表示。由于具有所述特定的结构式相关的结构,因此,本发明的化合物可以应用湿法工艺,耐热性和耐蚀刻性优异。另外,由于本发明的化合物具有特定结构,因此耐热性高、碳浓度较高、氧浓度较低、溶剂溶解性也高。因此,通过使用本发明的化合物,能够抑制高温烘焙时膜的劣化,能够形成对氧等离子体蚀刻等的耐蚀刻性也优异的下层膜。进而,由于与抗蚀剂层的密合性也优异,因此能够形成优异的抗蚀图案。
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