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半导体装置及其制造方法.pdf

简介：本发明涉及半导体装置及其制造方法。薄膜晶体管的电子特性和可靠性由于杂质元素到沟道区中的扩散而下降。本发明提供了一种其中铝原子不可能扩散到氧化物半导体层的薄膜晶体管。一种包括包含铟、镓、和锌的氧化物半导体层的薄膜晶体管包括其中堆叠有包括铝作为主要组分的第一导电层和包括高熔点金属材料的第二导电层的源或漏电极层。氧化物半导体层与第二导电层和包括氧化铝作为主要组分的阻挡层接触,由此抑制铝原子到氧化物半导体层的扩散。
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