简介:提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置,包括:设置在驱动电路部中的第一晶体管;以及设置在像素部中的第二晶体管,其中,第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外,第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管,被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外,在氧化物半导体膜中,在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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上传人:dahua1981
- 上传日期:2023-04-25