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在通道区下方利用共同注入改善FINFET半导体器件的方法.pdf

简介：本文涉及在通道区下方利用共同注入改善FINFET半导体器件的方法,公开的示例性方法包括,除其它事项外,形成衬底内的鳍片,在至少所述衬底中形成井注入区,在所述鳍片中形成冲停注入区,进行利用至少一中性注入材料的至少一中性注入工艺以形成在 详细>
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