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半导体装置及其制造方法.pdf

简介：本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：衬底之上的栅电极层；所述栅电极层之上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；源电极层和漏电极层,所述源电极层和所述漏电极层中的每一个与所述氧化物半导体层接触；所述源电极层和所述漏电极层之上的绝缘层,所述绝缘层包含氧和硅；以及所述氧化物半导体层和所述绝缘层之间的第一区域,其中,所述第一区域包含氧、硅和包含于所述氧化物半导体层中的至少一种金属元素。
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