简介:通过抑制其电特性的变化来提供一种包括氧化物半导体的极可靠半导体器件。氧从设置在氧化物半导体层下面的基绝缘层以及设置在氧化物半导体层之上的栅绝缘层提供给其中形成沟道的区域,由此填充可能在沟道中生成的氧空位。此外,抑制通过氧化物半导体层中形成的沟道附近的源电极层或漏电极层从氧化物半导体层提取氧,由此抑制可能在沟道中生成的氧空位。
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上传人:dahua1981
- 上传日期:2023-04-23