简介:一种制造半导体器件的方法包括提供具有栅极结构的半导体衬底。在所述栅极结构之间形成高度低于所述栅极结构的牺牲绝缘层,从而使每一所述栅极结构的一部分暴露于所述牺牲绝缘层之上。在所述栅极结构的所述暴露部分的侧壁上形成间隔体。暴露位于所述间隔体之间的所述牺牲绝缘层的一部分。去除所述牺牲绝缘层,由此在所述间隔体之下形成空间。形成填充位于所述间隔体之间的空间的绝缘层,从而在所述栅极结构之间和所述间隔体之下形成气穴。
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上传人:dahua1981
- 上传日期:2023-04-22