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氮化镓类化合物半导体装置.pdf

简介：本发明涉及主要在不超过375nm的波长下发光的LED。LED由衬底(10)上的GaN层(16)、n-覆盖层(20)、AlInGaN缓冲层(22)、发光层(24)、p-覆盖层(26)、p电极(30)、n电极(32)构成。发光层(24)为对InGaN阱层和AlInGaN阻挡层进行层叠而成的多层量子阱结构(MQ 详细>
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