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发射辐射半导体器件及其制造方法.pdf

简介：本发明说明一种发射辐射的半导体器件,它具有包含发射辐射有源区(5)的多层结构(4),和具有包含第一主面(2)和位于该第一主面(2)对面的第二主面(3)的透过辐射的窗口(1),该窗口与第一主面(2)在多层结构(4)邻界。在窗口(1)中形成至少一个空隙(8),它首先构成第二主面的深度扩展或构成边缘侧的剥离。窗口(1)或空隙(8)的至少一个侧面至少部少部分地配置接触面(11)。替代地或累积地,器件的至少一个接触面具有多个开口(14)。
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