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光刻过程中晶片热形变的优化校正.pdf

简介：本发明提出了校正光刻曝光衬底的热致区域形变的方法和装置。在一个实施方案中,该方法包含,按照预定曝光信息把图形曝光到衬底的多个区域,并测量所述区域的属性以评估曝光过程的热效应引起的区域形变。该方法进一步包含基于测得的属性确定校正信息,并基于改校正信息调整预定的曝光信息以补偿热致区域形变。其它实施方案包含使用预计模型以预计区域上的热致效应,并包含热像成像以确定整个衬底上的温度变化。
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