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半导体器件.pdf

简介：根据本发明的一种半导体器件,包括：一p沟道TFT；一n沟道TFT,其中至少有一部分LDD区与栅极叠加,在LDD区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管,其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极,其中,所述p沟道TFT和所述n沟道TFT和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上,所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都设置在一个CMOS电路中,并且,所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。
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