简介:本发明通过使用转移技术,提供由薄膜形成的多个元件形成层集成的半导体芯片。本发明利用转移技术先暂时从衬底剥离膜厚50μm或更薄的元件形成层并转移到其他衬底上,然后再从另一个衬底剥离膜厚50μm或更薄的元件形成层并将其转移层叠到先前的元件形成层上,如此重复就可以实现常规三维组装的半导体芯片所没有实现的薄膜化,形成高集成化的半导体芯片。
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上传人:dahua1981
- 上传日期:2023-04-21