简介:用于给器件层提供图案的光刻双曝光处理方法,包括以下步骤:在第一和第二次曝光步骤前,将第一掩模图案(31)和第二掩模图案(32)扩大预选扩张距离,抗蚀剂处理基底的已曝光辐射敏感层以提供相应于所述图案的抗蚀剂已处理特征,借此每个抗蚀剂已处理特征相应其标称尺寸扩大,和通过对所述抗蚀剂已处理特征应用补充抗蚀剂处理,以超过预选收缩的距离收缩所述抗蚀剂已处理特征。
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上传人:dahua1981
- 上传日期:2023-04-21