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用于有机硅酸盐玻璃低K介质腐蚀应用的用O-(2)和NH-(3)的蚀刻后光刻胶剥除.pdf

简介：提供一种用于从形成有至少一层的OSG电介质的半导体晶片上剥除光刻胶的工艺。与其它集成电路制造工艺相应地原位或在外部构成剥除工艺。该工艺包括一种本质上为氧化反应或还原反应的反应。氧化反应利用氧等离子体。还原反应利用氨等离子体。本发明的工艺与以前公知的剥除方法相比产生更快的灰化速率且几乎对OSG电介质没有损伤。
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