简介:在通过制造半导体器件的常规步骤形成接触孔时,要求在基片几乎整个表面上形成一层光致抗蚀剂,而使之涂在除待形成接触孔的区域以外的薄膜上,从而使处理能力急剧下降。按照本发明形成接触孔的方法及制造半导体器件、EL显示器及液晶显示器的方法,是在半导体层、导电层或绝缘层上选择性地形成一层岛形有机薄膜,并沿该岛形有机薄膜形成一层绝缘膜以形成接触孔。因此,不需要利用光致抗蚀剂的常规构成图案,可以达到高处理能力及低成本。
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上传人:dahua1981
- 上传日期:2023-04-21