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具有低栅极电荷的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管.pdf

简介：一种沟槽MOSFET器件,其包括：(a)第一导电类型的硅衬底(200)(优选地为N-型导电性)；(b)在衬底上的第一导电类型的硅外延层(202),该外延层比衬底具有较低的多数载流子浓度；(c)在外延层的上部内的第二导电类型(优选地为P-型导电性)的主体区域(2 详细>
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