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半导体装置及开关元件.pdf

简介：一种半导体装置。现有单片双型MOSFET是并列两个MOSFET的芯片,使漏极电极短路的结构,故安装面积大,也不能降低漏极电极间的电阻,市场要求的小型化、薄型化也有限。本发明的半导体装置将两个MOSFET的半导体芯片的漏极电极之间直接连接,将两芯片重叠。在双型MOSFET中,不需要将漏极电极导出至外部,仅是两个栅极端子及两个源极端子,故将这四端子利用引线架或导电图案导出至外部。由此可实现装置的小型化及低导通电阻化。
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