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除去光刻胶和蚀刻残渣的方法.pdf

简介：提供等离子体灰化的方法,以除去在介电层的前一等离子体蚀刻过程中形成的光刻胶残余物和蚀刻残渣。灰化方法使用牵涉两步的等离子体工艺和含氧气体,其中在第一清洗步骤中向基片施加低或零偏压,从基片上除去大量光刻胶残余物和蚀刻残渣,另外从腔室表面上蚀刻并除去有害的氟烃残渣。在第二步清洗步骤中向基片施加增加的偏压,以便从基片上除去剩余的光刻胶和蚀刻残渣。两步工艺降低在常规的一步灰化工艺中常常观察到的记忆效应。可使用终点检测方法监控灰化工艺。
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