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GaN基的半导体元件的制造方法.pdf

简介：本发明涉及一种具有多层GaN基层的半导体元件的制造方法，这种半导体元件最好用来产生辐射。其中多层的GaN基层(4)生长在一个复合衬底上，该复合衬底具有一个衬底本体(1)和一层中间层(2)，而且衬底本体(1)的热膨胀系数接近于或最好大于GaN基各层(4)的热膨胀系数，GaN基各层(4)被淀积在中间层(2)上。该中间层和衬底本体最好通过晶片键合方法进行连接。
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