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半导体存储器装置及其制造方法.pdf

简介：本发明揭露一种具有形成在电容器上的可流动绝缘层的半导体装置，及其制造方法。尤其，该半导体装置包含：形成在衬底预定部分之上的电容器；通过在包括衬底和电容器的结果衬底结构上堆叠可流动绝缘层和未掺杂的硅酸盐玻璃层形成的绝缘层；和形成在绝缘层上的金属相互连接线。该方法包含下列步骤：在衬底的预定部分之上形成电容器；通过在包括衬底和电容器的结果衬底结构上，堆叠可流动绝缘层和未掺杂硅酸盐玻璃层，形成绝缘层；和在绝缘层上形成金属相互连接线。
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