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含有环氧化合物和羧酸化合物的光刻用形成下层膜的组合物.pdf

简介：本发明提供一种可以在半导体器件制造的光刻工艺中使用的光刻用形成下层膜的组合物、以及与光致抗蚀剂相比具有较大的干蚀刻速度的下层膜。具体来说，提供一种形成下层膜的组合物，其是用于无需利用强酸催化剂引起的交联反应而形成下层膜的组合物，含有具有环氧基的成分(高分子化合物、化合物)和具有酚性羟基、羧基、被保护的羧基或酸酐结构的成分(高分子化合物、化合物)。
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