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使用具有多层ARC的反射掩模在晶片上图案化光刻胶的方法.pdf

简介：图案化反射半导体掩模(10)使用覆盖吸收体叠层(22)的多层ARC(24，26.28)，该吸收体叠层覆盖反射衬底(12，14)。吸收体叠层多于一层，并且吸收体叠层的顶层具有预定金属。覆盖吸收体叠层的多层ARC具有与吸收体叠层的顶层的预定金属结合的氮、氧和氮层。ARC中的氧层具有比其中的氮层更少的金属特性。在一种形式中，覆盖介质层位于多层ARC上以增加光的干涉。ARC为远紫外(EUV)线提供宽带宽检测对比度。
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