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简介:一种半导体集成电路器件包括:n沟道MOS晶体管,形成在硅衬底的第一器件区上;及p沟道MOS晶体管,形成在硅衬底的第二器件区上,其中n沟道MOS晶体管包括第一栅电极,该第一栅电极承载形成在其各个侧壁表面上的一对第一侧壁绝缘膜,p沟道MOS晶体管
简介:一种半导体集成电路器件包括:n沟道MOS晶体管,形成在硅衬底的第一器件区上;及p沟道MOS晶体管,形成在硅衬底的第二器件区上,其中n沟道MOS晶体管包括第一栅电极,该第一栅电极承载形成在其各个侧壁表面上的一对第一侧壁绝缘膜,p沟道MOS晶体管包括第二栅电极,该第二栅电极承载形成在其各个侧壁表面上的一对第二侧壁绝缘膜;第一和第二SiGe混合晶体区,外延形成在第二器件区中,以使其填充形成在第二侧壁绝缘膜各个外侧处的第一和第二沟槽,从而被包含在p沟道MOS晶体管的源极扩散区和漏极扩散区中,在第一器件区中n型源极扩散区和漏极扩散区之间的距离大于在第二器件区中p型源极扩散区和漏极扩散区之间的距离。
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