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高压半导体器件及其制造方法.pdf

简介：一种制造具有电压维持区的高压功率MOSFET的方法，电压维持区包括通过快速扩散形成的掺杂柱体(410)。半导体器件具有衬底(402)、外延层(401)和形成在外延层(401)中的电压维持区，电压维持区包括沿已填充沟槽的至少外部侧壁形成的柱体(410)，柱体(410)包括第一、第二和第三扩散区，第一扩散区具有比第二扩散区的结深度深的结深度，第三扩散区从外延层表面延伸以贯穿第一和第二扩散区之一。
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