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半导体装置和半导体装置制造系统.pdf

简介:具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样,为了用激光晶化,应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地,条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后,连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。
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