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半导体功率器件和形成方法.pdf

简介：按照一种实施方式，应力缓冲层(40)被形成在功率金属结构(90)与钝化层(30)之间。应力缓冲层(40)通过功率金属结构(90)减小施加于钝化层(30)上的应力的作用。按照另一实施方式，功率金属结构(130A)被分为多段(1091)，从而通过籽层(1052)和粘附/阻挡层(1050)的剩余部分在各段(1090)之间保持电连续性。独立的多段(1090)施加比相当尺寸的连续功率金属结构(9)更低的峰值应力。
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