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光刻抗反射硬掩模合成物及其使用.pdf

简介：本发明给出用于半导体器件工艺的合成物和技术。在本发明一个方面，给出抗反射硬掩模合成物。合成物包含完全压缩多面体低聚硅倍半环氧乙烷{RSiO1.5}n，其中n等于8；以及至少一种发色半族和透明半族。在本发明另一方面，给出加工半导体器件的方法。方法包含下列步骤：在衬底上给出材料层；在材料层之上形成抗反射硬掩模层。抗反射硬掩模层包含完全压缩多面体低聚硅倍半环氧乙烷{RSiO1.5}n，其中n等于8；以及至少一种发色半族和透明半族。
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