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有机硅酸盐玻璃的低K蚀刻应用中的蚀刻后的光刻胶剥离.pdf

简介：从包括一层有机硅酸盐介质的半导体晶片上剥离光刻胶的方法。此方法包括将含氢的气流引到晶片上并用此含氢的气体于此晶片至少一部分附近形成等离子体，而用此等离子体从晶片上剥离至少一部分光刻胶。这里从半导体晶片上剥离光刻胶是在蚀刻设备中于晶片上进行了蚀刻步骤之后进行的，本发明又能在蚀刻设备中原地剥离光刻胶。本发明的出人意料的结果是，很高的氢气浓度不仅能产生高的剥离速率而且还能安全地应用这种高浓度的氢气混合物。
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