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具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的制备方法.pdf

简介：本发明提供一种具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的制造方法，该方法能够克服当使用具有难以得到足够大的离子束电流和延长工艺时间这些缺点的超低能量离子注入技术时可用能量的限制，并且能够提高生产率。本发明包括一种具有超浅超陡反 详细>
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