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半导体器件及剥离方法以及半导体器件的制造方法.pdf

简介：本发明提供一种不会损伤剥离层的剥离方法，目的在于不仅能够剥离具有较小面积的剥离层，而且能够以出色的生产率剥离掉在整个表面上具有较大面积的剥离层。在基片上提供金属层或氮化物层11，并且，提供与前述金属层或氮化物层11接触的氧化层12，此外，如果进行叠层膜形成或者500℃或更高温度的热处理，可以通过物理方式容易地并且明确地在与氧化层12的界面上将层分开。
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