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互补型金属氧化物半导体图像传感器的制造方法.pdf

简介：本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的制造方法，其中一微p阱稳定地形成在一像素区域中，以适应大规模集成的趋势。该方法包括如下步骤：准备具有周围区域和像素区域的基片；通过使用具有第一厚度的第一光致抗蚀剂来实施第一离子植入工艺，由此在所述像素区域中形成正常的第一导电阱；以及通过使用具有第二厚度的第二光致抗蚀剂来实施第二离子植入工艺，由此在所述周围区域中形成所述第一导电型微阱，其中所述第一厚度大于所述第二厚度。
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