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半导体器件及其制造的方法.pdf

简介：制造无沿台阶型薄膜晶体管(TFT)的方法，有效地减少寄生电容和使晶体管彼此隔离。把催化剂元素，例如是镍，加入对应TFT的源极/漏极区的区域中，或者形成催化剂元素的层或者催化剂元素的化合物的层。本征非晶硅膜形成在该区或者是催化剂元素或它的化合物的层上。该叠层结构高温退火，以向非晶硅扩散催化剂元素。在源极/漏极区的周围非晶硅膜选择性地结晶。结果，在其他的区产生了高电阻区。不产生沟道。该TFT可以彼此隔离。
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