简介:形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触,或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜,使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT,从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。
- 所需积分:50 分
- 所需积分:50 分0分
- 下载次数:0 次
- 获取积分:页面上方
- 资料大小: 1319 KB
-
上传人:dahua1981
- 上传日期:2023-04-18