简介:在一半导体集成电路中,在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘,所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压,至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模,通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
- 所需积分:50 分
- 所需积分:50 分0分
- 下载次数:0 次
- 获取积分:页面上方
- 资料大小: 1723 KB
-
上传人:dahua1981
- 上传日期:2023-04-18